RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
47
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
2875
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link