RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3683
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link