RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
101
Около 74% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
101
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1311
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link