RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2098
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link