RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3579
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Mushkin 992017 (997017) 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link