RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3324
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link