Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.5 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 18.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3444

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM