Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около 10% меньшая задержка

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 16.2
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3221

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 9905624-016.A00G 8GB

Kingston 9905624-016.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM