RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3221
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link