RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3759
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link