RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3886
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link