RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
69
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1794
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link