RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3047
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link