RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3140
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link