RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3060
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link