RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2971
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link