RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link