RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2458
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link