RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2834
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link