RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2674
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link