RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2648
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link