Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 17.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3520

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

Kingston 9905598-026.A00G 16GB

модули RAM