RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3506
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link