RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3771
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link