RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
26
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3383
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link