RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link