RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
26
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3216
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link