RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2462
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link