RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3804
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link