RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3217
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link