RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link