RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3809
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link