RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
26
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
26.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
14
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
26.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4362
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link