Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 53

Около 51% меньшая задержка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 53
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 16.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2301

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

модули RAM