RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3029
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link