Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 27

Около 4% меньшая задержка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.3 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.8 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 18.3
Скорость записи, Гб/сек

9.0 15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3899

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

модули RAM