Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около 21% меньшая задержка

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 33
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 20.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3260

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905744-005.A00G 16GB

Kingston 9905744-005.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

модули RAM