RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2821
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link