RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около 4% меньшая задержка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.3 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 11.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2143 left arrow 2430

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
модули RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
модули RAM