RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
122
Около 79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
122
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1411
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link