RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston 9965589-008.D01G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2037
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link