RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston 9965640-008.A01G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
8.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2031
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link