RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3133
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link