RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2727
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link