RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
97
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
97
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1632
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link