RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston X74R9W-MIE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3136
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link