RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2623
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link