RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3201
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link