Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 26

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 14.8
Скорость записи, Гб/сек

9.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2695

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

Kingston 9905704-007.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM