RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3040
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link