RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2825
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link